Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > NSB13211DW6T1G

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4762139

Obraz NSB13211DW6T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

NSB13211DW6T1G
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

NSB13211DW6T1G.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
Typ tranzystora

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet

SC-88/SC70-6/SOT-363
Seria

-
Rezystor - podstawa nadajnika (R2)

4.7 kOhms, 10 kOhms
Rezystor - Podstawa (R1)

4.7 kOhms, 10 kOhms
Moc - Max

230mW
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition

-
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

500nA
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „NSB13211DW6T1G”.

NSB8DT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB8BT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB8BTHE3_A/P

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB8DT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB12ANT3G

Opis: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

Producenci: Hamlin / Littelfuse

Na stanie

NSB8BTHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB8BTHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB8AT-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB8BTHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB8ATHE3_A/P

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB1706DMW5T1

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSB8ATHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB8BT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB8ATHE3/81

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB8DTHE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB4904DW1T1G

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSB8ATHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

NSB13ANT3G

Opis: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSB1706DMW5T1G

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NSB8AT-E3/81

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.