Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze > NJVMJD122T4G-VF01
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4105424Obraz NJVMJD122T4G-VF01.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD122T4G-VF01

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.274
5000+
$0.255
12500+
$0.252
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NJVMJD122T4G-VF01
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NJVMJD122T4G-VF01.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    100V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    4V @ 8A, 80mA
  • Typ tranzystora
    NPN - Darlington
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DPAK
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    1.75W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    NJVMJD122T4G
    NJVMJD122T4G-ND
    NJVMJD122T4G-VF01OSTR
    NJVMJD122T4GOSTR
    NJVMJD122T4GOSTR-ND
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    -
  • szczegółowy opis
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 1.75W Surface Mount DPAK
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    10µA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    8A
  • Podstawowy numer części
    MJD122

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NJVMJD122T4G-VF01”.
NJVBUB323ZT4G

NJVBUB323ZT4G

Opis: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJB41CT4G

NJVMJB41CT4G

Opis: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD127T4G

NJVMJD127T4G

Opis: IC TRANS PNP 8A 100V DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD31CRLG

NJVMJD31CRLG

Opis: TRANS NPN 100V 3A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD117T4G

NJVMJD117T4G

Opis: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD148T4G-VF01

NJVMJD148T4G-VF01

Opis: TRANS NPN 45V 4A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVBDX53C

NJVBDX53C

Opis: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJV4031NT3G

NJV4031NT3G

Opis: TRANS NPN 40V 3A SOT223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJB45H11T4G

NJVMJB45H11T4G

Opis: TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD128T4G

NJVMJD128T4G

Opis: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD31CG

NJVMJD31CG

Opis: TRANS NPN 100V 3A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD112G

NJVMJD112G

Opis: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD253T4G-VF01

NJVMJD253T4G-VF01

Opis: TRANS PNP 100V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD112T4G

NJVMJD112T4G

Opis: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD243T4G

NJVMJD243T4G

Opis: TRANS NPN 100V 4A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD2955T4G

NJVMJD2955T4G

Opis: TRANS PNP 60V 10A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD3055T4G

NJVMJD3055T4G

Opis: TRANS NPN 60V 10A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJB42CT4G

NJVMJB42CT4G

Opis: TRANS PNP 100V 6A D2PAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJB44H11T4G

NJVMJB44H11T4G

Opis: TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NJVMJD210T4G

NJVMJD210T4G

Opis: TRANS PNP 25V 5A DPAK-4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.