Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > MMDF3N02HDR2
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3001119

MMDF3N02HDR2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.733
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MMDF3N02HDR2
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MMDF3N02HDR2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOIC
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    90 mOhm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    630pF @ 16V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.8A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MMDF3N02HDR2”.
MMDF2P02HDR2G

MMDF2P02HDR2G

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDF2C03HDR2

MMDF2C03HDR2

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDDT2C09006

MMDDT2C09006

Opis: DRIVER/AMPLIFIER FOR 20W MOTOR

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
MMDL6050T1

MMDL6050T1

Opis: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOD323

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDF2N02ER2G

MMDF2N02ER2G

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDF2C03HDR2G

MMDF2C03HDR2G

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDF2N02ER2

MMDF2N02ER2

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDF1N05ER2G

MMDF1N05ER2G

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDF2P02HDR2

MMDF2P02HDR2

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDL301T1G

MMDL301T1G

Opis: DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOD-323

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDF3N02HDR2G

MMDF3N02HDR2G

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDF3N04HDR2G

MMDF3N04HDR2G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDF1N05ER2

MMDF1N05ER2

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDF3N04HDR2

MMDF3N04HDR2

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDL101T1

MMDL101T1

Opis: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SOD-323

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDL6050T1G

MMDL6050T1G

Opis: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOD323

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDL301T1

MMDL301T1

Opis: DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOD-323

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDFS6N303R2

MMDFS6N303R2

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDF2P02ER2G

MMDF2P02ER2G

Opis: MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMDL101T1G

MMDL101T1G

Opis: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SOD-323

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.