Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > MMBF0201NLT1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4241630Obraz MMBF0201NLT1.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBF0201NLT1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MMBF0201NLT1
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MMBF0201NLT1.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1 Ohm @ 300mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    225mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    MMBF0201NLT1OSCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    45pF @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 300mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MMBF0201NLT1”.
MMBF170LT1

MMBF170LT1

Opis: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBD914LT1HTSA1

MMBD914LT1HTSA1

Opis: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
MMBF170Q-13-F

MMBF170Q-13-F

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.5A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MMBF102

MMBF102

Opis: JFET N-CH 25V 20MA SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBD914_D87Z

MMBD914_D87Z

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBF170-7-F

MMBF170-7-F

Opis: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MMBD914LT1G

MMBD914LT1G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBD914-TP

MMBD914-TP

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
MMBD914-HE3-18

MMBD914-HE3-18

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MMBF0201NLT1G

MMBF0201NLT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBF170LT3G

MMBF170LT3G

Opis: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBD914LT3G

MMBD914LT3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBD914TR

MMBD914TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
MMBD914-HE3-08

MMBD914-HE3-08

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MMBF170LT1G

MMBF170LT1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBD914-G3-18

MMBD914-G3-18

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MMBF170LT3

MMBF170LT3

Opis: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MMBF170-7

MMBF170-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
MMBD914LT3HTMA1

MMBD914LT3HTMA1

Opis: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
MMBF170

MMBF170

Opis: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.