Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze > MJ11015G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2041933Obraz MJ11015G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ11015G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$4.36
10+
$3.913
100+
$3.206
500+
$2.73
1000+
$2.302
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MJ11015G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PNP DARL 120V 30A TO3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    MJ11015G.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    120V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    4V @ 300mA, 30A
  • Typ tranzystora
    PNP - Darlington
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-204 (TO-3)
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    200W
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    TO-204AA, TO-3
  • Inne nazwy
    MJ11015GOS
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    11 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    4MHz
  • szczegółowy opis
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 20A, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    1mA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    30A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MJ11015G”.
MJ10R5FE-R52

MJ10R5FE-R52

Opis: RES 10.5 OHM 1/8W 1% AXIAL

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
MJ1071FE-R52

MJ1071FE-R52

Opis: RES 1.07K OHM 1/8W 1% AXIAL

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
MJ1070FE-R52

MJ1070FE-R52

Opis: RES 107 OHM 1/8W 1% AXIAL

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
MJ10R0FE-R52

MJ10R0FE-R52

Opis: RES 10 OHM 1/8W 1% AXIAL

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
MJ11028G

MJ11028G

Opis: TRANS NPN DARL 60V 50A TO3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MJ11016

MJ11016

Opis: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MJ11030

MJ11030

Opis: TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MJ11022G

MJ11022G

Opis: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MJ1072FE-R52

MJ1072FE-R52

Opis: RES 10.7K OHM 1/8W 1% AXIAL

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
MJ1100FE-R52

MJ1100FE-R52

Opis: RES 110 OHM 1/8W 1% AXIAL

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
MJ10R7FE-R52

MJ10R7FE-R52

Opis: RES 10.7 OHM 1/8W 1% AXIAL

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
MJ11016G

MJ11016G

Opis: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MJ11022

MJ11022

Opis: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MJ1073FE-R52

MJ1073FE-R52

Opis: RES 107K OHM 1/8W 1% AXIAL

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
MJ11021

MJ11021

Opis: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MJ11012G

MJ11012G

Opis: TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MJ10R2FE-R52

MJ10R2FE-R52

Opis: RES 10.2 OHM 1/8W 1% AXIAL

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
MJ1101FE-R52

MJ1101FE-R52

Opis: RES 1.1K OHM 1/8W 1% AXIAL

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
MJ11021G

MJ11021G

Opis: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MJ1102FE-R52

MJ1102FE-R52

Opis: RES 11K OHM 1/8W 1% AXIAL

Producenci: Ohmite
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.