Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki - macierze > HN2D02FUTW1T1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6943728Obraz HN2D02FUTW1T1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HN2D02FUTW1T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.07
6000+
$0.063
15000+
$0.056
30000+
$0.053
75000+
$0.047
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HN2D02FUTW1T1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    HN2D02FUTW1T1G.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.2V @ 100mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    80V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Prędkość
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    3ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    HN2D02FUTW1T1GOSTR
  • Temperatura pracy - złącze
    150°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    30 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • Diode Configuration
    3 Independent
  • szczegółowy opis
    Diode Array 3 Independent Standard 80V 100mA (DC) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    100nA @ 75V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    100mA (DC)
  • Podstawowy numer części
    HN2D02

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „HN2D02FUTW1T1G”.
HN2A01FU-Y(TE85L,F

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Opis: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2X3WH6

HN2X3WH6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
HN2X2WH6

HN2X2WH6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
HN2D01FU(TE85L,F)

HN2D01FU(TE85L,F)

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2C01FEYTE85LF

HN2C01FEYTE85LF

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2X3LG6

HN2X3LG6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW GRAY 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
HN2S03FE(TE85L,F)

HN2S03FE(TE85L,F)

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2D03F(TE85L,F)

HN2D03F(TE85L,F)

Opis: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2X2LG6

HN2X2LG6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW GRAY 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
HN2D01FTE85LF

HN2D01FTE85LF

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SC74

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2C01FE-GR(T5L,F)

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2S02JE(TE85L,F)

HN2S02JE(TE85L,F)

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2S01FUTE85LF

HN2S01FUTE85LF

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2S03FUTE85LF

HN2S03FUTE85LF

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2C01FU-GR(T5L,F)

HN2C01FU-GR(T5L,F)

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2C01FU-Y(TE85L,F

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2S03T(TE85L)

HN2S03T(TE85L)

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2A01FU-GR(TE85LF

HN2A01FU-GR(TE85LF

Opis: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN2D02FUTW1T1

HN2D02FUTW1T1

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HN2D01JE(TE85L,F)

HN2D01JE(TE85L,F)

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.