Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > HGTP5N120BND
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5413864

HGTP5N120BND

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
800+
$1.82
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HGTP5N120BND
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.HGTP5N120BND.pdf
    2.HGTP5N120BND.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.7V @ 15V, 5A
  • Stan testu
    960V, 5A, 25 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    22ns/160ns
  • Przełączanie Energy
    450µJ (on), 390µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AB
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    65ns
  • Moc - Max
    167W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    53nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    40A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    21A

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „HGTP5N120BND”.
HGTP12N60A4

HGTP12N60A4

Opis: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP7N60A4

HGTP7N60A4

Opis: IGBT 600V 34A 125W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP3N60A4

HGTP3N60A4

Opis: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP7N60A4D

HGTP7N60A4D

Opis: IGBT 600V 34A 125W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D

Opis: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP10N120BN

HGTP10N120BN

Opis: IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP7N60A4-F102

HGTP7N60A4-F102

Opis: N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG40N60A4

HGTG40N60A4

Opis: IGBT 600V 75A 625W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP20N60A4

HGTP20N60A4

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

Opis: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG5N120BND

HGTG5N120BND

Opis: IGBT 1200V 21A 167W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D

Opis: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP2N120CN

HGTP2N120CN

Opis: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP12N60C3

HGTP12N60C3

Opis: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG7N60A4

HGTG7N60A4

Opis: IGBT 600V 34A 125W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP7N60C3D

HGTP7N60C3D

Opis: IGBT 600V 14A 60W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

Opis: IGBT 600V 63A 208W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTP7N60B3D

HGTP7N60B3D

Opis: IGBT 600V 14A 60W TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HGTG7N60A4D

HGTG7N60A4D

Opis: IGBT 600V 34A 125W TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.