Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Izolatory > Optoizolatory - tranzystor, wyjście fotowoltaiczne > H11G3S
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5495028

H11G3S

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    H11G3S
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    H11G3S.pdf
  • Napięcie - Wyjście (Max)
    55V
  • Napięcie - Izolacja
    5300Vrms
  • Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ)
    1.3V
  • Vce Nasycenie (Max)
    1.2V
  • Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ)
    5µs, 100µs
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-SMD
  • Seria
    -
  • Czas narastania / spadku (typ)
    -
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    6-SMD, Gull Wing
  • Typ wyjścia
    Darlington with Base
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 100°C
  • Liczba kanałów
    1
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    DC
  • szczegółowy opis
    Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD
  • Obecny współczynnik przenikania (min)
    200% @ 1mA
  • Obecny współczynnik przenikania (Max)
    -
  • Obecny - Wyjście / Channel
    -
  • Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.)
    60mA

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „H11G3S”.
H11G3M

H11G3M

Opis: OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G3300

H11G3300

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G3SR2M

H11G3SR2M

Opis: OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2VM

H11G2VM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11L1

H11L1

Opis: 6PIN SCHMITT TRIGGER IF(ON)=1.6M

Producenci: QT Brightek
Na stanie
RFQ
H11L1

H11L1

Opis: ISOLAT 7.5KVPK 1CH UNIDIR 6-DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G33S

H11G33S

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G3300W

H11G3300W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2W

H11G2W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2SVM

H11G2SVM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11L1

H11L1

Opis: OPTOISO 5KV OPEN COLLECTOR 6DIP

Producenci: Everlight Electronics
Na stanie
RFQ
H11G3W

H11G3W

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G3TM

H11G3TM

Opis: OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G3

H11G3

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G33SD

H11G33SD

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11L1

H11L1

Opis: OPTOISO 5KV OPEN COLLECTOR 6DIP

Producenci: Isocom Components
Na stanie
RFQ
H11G3SD

H11G3SD

Opis: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G2TVM

H11G2TVM

Opis: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G45

H11G45

Opis: OPTOISO 4KV DARL W/BASE 6DIP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
H11G46

H11G46

Opis: PHOTO DARLINGTON OPTOISOLATOR

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.