Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQPF7P06
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1499993Obraz FQPF7P06.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQPF7P06

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQPF7P06
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 5.3A TO-220F
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FQPF7P06.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220F
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    410 mOhm @ 2.65A, 10V
  • Strata mocy (max)
    24W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    295pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.2nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 5.3A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Tc)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQPF7P06”.
FQPF7N20L

FQPF7N20L

Opis: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF7N40

FQPF7N40

Opis: MOSFET N-CH 400V 4.6A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF8P10

FQPF8P10

Opis: MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF85N06

FQPF85N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 53A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF7P20

FQPF7P20

Opis: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF8N90C

FQPF8N90C

Opis: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF8N60C

FQPF8N60C

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF7N80C

FQPF7N80C

Opis: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF7N65CYDTU

FQPF7N65CYDTU

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF8N80CYDTU

FQPF8N80CYDTU

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF8N60CFT

FQPF8N60CFT

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF7N65C_F105

FQPF7N65C_F105

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF8N60CYDTU

FQPF8N60CYDTU

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF7N65C

FQPF7N65C

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF8N60CT

FQPF8N60CT

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF7N10L

FQPF7N10L

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.5A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF8N80C

FQPF8N80C

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF7N20

FQPF7N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF7N60

FQPF7N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF7N80

FQPF7N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 3.8A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.