Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQP6N80
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2572509

FQP6N80

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQP6N80
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FQP6N80.pdf
    2.FQP6N80.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220-3
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    158W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 5.8A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.8A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQP6N80”.
FQP70N10

FQP70N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 57A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N60C_F080

FQP6N60C_F080

Opis: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N60

FQP6N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP7N20L

FQP7N20L

Opis: MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N25

FQP6N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 5.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N90C

FQP6N90C

Opis: MOSFET N-CH 900V 6A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N90

FQP6N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N70

FQP6N70

Opis: MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N15

FQP6N15

Opis: MOSFET N-CH 150V 6.4A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N40CF

FQP6N40CF

Opis: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N80C

FQP6N80C

Opis: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP7N20

FQP7N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N50

FQP6N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N40C

FQP6N40C

Opis: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N60C

FQP6N60C

Opis: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP7N10L

FQP7N10L

Opis: MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP70N08

FQP70N08

Opis: MOSFET N-CH 80V 70A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP7N10

FQP7N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6P25

FQP6P25

Opis: MOSFET P-CH 250V 6A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP6N50C

FQP6N50C

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.