Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD6N50CTM
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1791056

FQD6N50CTM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.19
10+
$1.056
100+
$0.834
500+
$0.647
1000+
$0.511
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQD6N50CTM
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FQD6N50CTM.pdf
    2.FQD6N50CTM.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-Pak
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 61W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    FQD6N50CTMCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    23 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    700pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 4.5A (Tc) 2.5W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD6N50CTM”.
FQD7N10TM

FQD7N10TM

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6N40CTF

FQD6N40CTF

Opis: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD630TF

FQD630TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD630TM

FQD630TM

Opis: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N10LTF

FQD7N10LTF

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6P25TF

FQD6P25TF

Opis: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6N40TM

FQD6N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N10LTM

FQD7N10LTM

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6N25TM

FQD6N25TM

Opis: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N20LTF

FQD7N20LTF

Opis: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6N25TF

FQD6N25TF

Opis: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD7N20LTM

FQD7N20LTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6N40TF

FQD6N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6N50CTF

FQD6N50CTF

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6N60CTM-WS

FQD6N60CTM-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6N40CTM

FQD6N40CTM

Opis: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6N60CTM

FQD6N60CTM

Opis: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6P25TM

FQD6P25TM

Opis: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD5P20TM_F080

FQD5P20TM_F080

Opis: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD6N50CTM_F080

FQD6N50CTM_F080

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.