Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD6N40TM

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

6298643

FQD6N40TM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FQD6N40TM
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

FQD6N40TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±30V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D-Pak
Seria

QFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

1.15 Ohm @ 2.1A, 10V
Strata mocy (max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

620pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

17nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

400V
szczegółowy opis

N-Channel 400V 4.2A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

4.2A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD6N40TM”.

FQD630TM

FQD630TM

Opis: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6N50CTM

FQD6N50CTM

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6N40CTM

FQD6N40CTM

Opis: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6N60CTM

FQD6N60CTM

Opis: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6N25TF

FQD6N25TF

Opis: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6N40CTF

FQD6N40CTF

Opis: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6N50CTM_F080

FQD6N50CTM_F080

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD5P20TF

FQD5P20TF

Opis: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD7N10TM

FQD7N10TM

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6N25TM

FQD6N25TM

Opis: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD7N10LTM

FQD7N10LTM

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD5P20TM_F080

FQD5P20TM_F080

Opis: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD630TF

FQD630TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6N60CTM-WS

FQD6N60CTM-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD5P20TM

FQD5P20TM

Opis: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6P25TF

FQD6P25TF

Opis: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6N50CTF

FQD6N50CTF

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6P25TM

FQD6P25TM

Opis: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD6N40TF

FQD6N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQD7N10LTF

FQD7N10LTF

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.