Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD30N06LTF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4178482

FQD30N06LTF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQD30N06LTF
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FQD30N06LTF.pdf
    2.FQD30N06LTF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-Pak
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    39 mOhm @ 12A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 44W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1040pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD30N06LTF”.
FQD3N30TF

FQD3N30TF

Opis: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD30N06TF_F080

FQD30N06TF_F080

Opis: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N60TM

FQD2N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD30N06LTM

FQD30N06LTM

Opis: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N80TF

FQD2N80TF

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD3N50CTF

FQD3N50CTF

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD3N40TM

FQD3N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N80TM_WS

FQD2N80TM_WS

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2P40TF

FQD2P40TF

Opis: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2P40TF_F080

FQD2P40TF_F080

Opis: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N90TM

FQD2N90TM

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N60TF

FQD2N60TF

Opis: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD3N30TM

FQD3N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD30N06TM

FQD30N06TM

Opis: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD3N50CTM

FQD3N50CTM

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2P40TM

FQD2P40TM

Opis: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N90TF

FQD2N90TF

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD30N06TF

FQD30N06TF

Opis: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD2N80TM

FQD2N80TM

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD3N40TF

FQD3N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.