Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQD19N10TM
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2595411

FQD19N10TM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.03
10+
$0.913
100+
$0.722
500+
$0.56
1000+
$0.442
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FQD19N10TM
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FQD19N10TM.pdf
    2.FQD19N10TM.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-Pak
  • Seria
    QFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    100 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    FQD19N10TMCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    780pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    15.6A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FQD19N10TM”.
FQD17N08LTM

FQD17N08LTM

Opis: MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD19N10TF

FQD19N10TF

Opis: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD1P50TF

FQD1P50TF

Opis: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM

Opis: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD1N60TM

FQD1N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD19N10TM_F080

FQD19N10TM_F080

Opis: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD16N25CTM_F080

FQD16N25CTM_F080

Opis: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD19N10LTF

FQD19N10LTF

Opis: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD18N20V2TF

FQD18N20V2TF

Opis: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD1N60CTM

FQD1N60CTM

Opis: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD1N50TM

FQD1N50TM

Opis: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD1N60TF

FQD1N60TF

Opis: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD1N80TM

FQD1N80TM

Opis: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD17P06TF

FQD17P06TF

Opis: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD17N08LTF

FQD17N08LTF

Opis: MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD19N10LTM

FQD19N10LTM

Opis: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD1N50TF

FQD1N50TF

Opis: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD1N80TF

FQD1N80TF

Opis: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD17P06TM

FQD17P06TM

Opis: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD1N60CTF

FQD1N60CTF

Opis: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.