Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQB44N10TM

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

406641

Obraz FQB44N10TM.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB44N10TM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$2.04

10+

$1.846

100+

$1.484

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FQB44N10TM
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

FQB44N10TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±25V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D²PAK (TO-263AB)
Seria

QFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

39 mOhm @ 21.75A, 10V
Strata mocy (max)

3.75W (Ta), 146W (Tc)
Opakowania

Cut Tape (CT)
Package / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Inne nazwy

FQB44N10TMCT
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

28 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1800pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

62nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

100V
szczegółowy opis

N-Channel 100V 43.5A (Tc) 3.75W (Ta), 146W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

43.5A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FQB44N10TM”.

FQB4N20LTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3N90TM

Opis: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3P50TM

Opis: MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB4N90TM

Opis: MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB34P10TM-F085

FQB34P10TM-F085

Opis: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB4N50TM

Opis: MOSFET N-CH 500V 3.4A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB34P10TM-F085P

FQB34P10TM-F085P

Opis: PMOS D2PAK 100V 60 MOHM

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3P20TM

Opis: MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB47P06TM-AM002

FQB47P06TM-AM002

Opis: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB4N20TM

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB4N25TM

Opis: MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB4P25TM

Opis: MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3N60CTM

Opis: MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB4N80TM

Opis: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3N25TM

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB45N15V2TM

Opis: MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB46N15TM_AM002

FQB46N15TM_AM002

Opis: MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB3N80TM

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.