Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FQB22P10TM-F085

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4227962

Obraz FQB22P10TM-F085.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB22P10TM-F085

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

800+

$1.335

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FQB22P10TM-F085
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

FQB22P10TM-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±30V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D²PAK (TO-263AB)
Seria

Automotive, AEC-Q101, QFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

125 mOhm @ 11A, 10V
Strata mocy (max)

3.75W (Ta), 125W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Inne nazwy

FQB22P10TM-F085TR
FQB22P10TM_F085
FQB22P10TM_F085TR
FQB22P10TM_F085TR-ND
FQB22P10TMF085
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1500pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

50nC @ 10V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

100V
szczegółowy opis

P-Channel 100V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FQB22P10TM-F085”.

FQB25N33TM-F085

FQB25N33TM-F085

Opis: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB19N20TM

Opis: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB24N08TM

Opis: MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB2N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB19N10LTM

Opis: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB27N25TM_AM002

FQB27N25TM_AM002

Opis: MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB2N80TM

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB2N50TM

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB22P10TM

Opis: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB19N10TM

Opis: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB27N25TM-F085

FQB27N25TM-F085

Opis: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB1P50TM

Opis: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB1N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB19N20CTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB27P06TM

Opis: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB19N20LTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB20N06TM

Opis: MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB25N33TM

Opis: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB20N06LTM

Opis: MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FQB2N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.