Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > FJV3110RMTF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5485613

FJV3110RMTF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.039
6000+
$0.034
15000+
$0.029
30000+
$0.027
75000+
$0.026
150000+
$0.023
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FJV3110RMTF
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FJV3110RMTF.pdf
    2.FJV3110RMTF.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    40V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Typ tranzystora
    NPN - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seria
    -
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    200mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    FJV3110RMTF-ND
    FJV3110RMTFTR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    13 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    250MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    100nA (ICBO)
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA
  • Podstawowy numer części
    FJV3110

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FJV3110RMTF”.
FJV3114RMTF

FJV3114RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3101RMTF

FJV3101RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV4101RMTF

FJV4101RMTF

Opis: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV4102RMTF

FJV4102RMTF

Opis: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3108RMTF

FJV3108RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV4103RMTF

FJV4103RMTF

Opis: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3107RMTF

FJV3107RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV4104RMTF

FJV4104RMTF

Opis: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3104RMTF

FJV3104RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3103RMTF

FJV3103RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3102RMTF

FJV3102RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3113RMTF

FJV3113RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3112RMTF

FJV3112RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3111RMTF

FJV3111RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3115RMTF

FJV3115RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3106RMTF

FJV3106RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3105RMTF

FJV3105RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV3109RMTF

FJV3109RMTF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV4105RMTF

FJV4105RMTF

Opis: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FJV1845UMTF

FJV1845UMTF

Opis: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.