Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > FGA70N33BTDTU
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6383302Obraz FGA70N33BTDTU.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA70N33BTDTU

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FGA70N33BTDTU
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 330V 149W TO3P
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FGA70N33BTDTU.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    330V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.7V @ 15V, 70A
  • Stan testu
    -
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    -
  • Przełączanie Energy
    -
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3P
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    23ns
  • Moc - Max
    149W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-3P-3, SC-65-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench
  • brama Charge
    49nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench 330V 149W Through Hole TO-3P
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    220A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FGA70N33BTDTU”.
FGAF40N60UFTU

FGAF40N60UFTU

Opis: IGBT 600V 40A 100W TO3PF

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGAF40N60SMD

FGAF40N60SMD

Opis: IGBT 600V 80A 79W TO-3PF

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA50N60LS

FGA50N60LS

Opis: IGBT 600V 100A 240W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA90N30TU

FGA90N30TU

Opis: IGBT 300V 90A 219W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA6065ADF

FGA6065ADF

Opis: IGBT 650V 120A 306W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA60N60UFDTU

FGA60N60UFDTU

Opis: IGBT 600V 120A 298W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA60N65SMD

FGA60N65SMD

Opis: IGBT 650V 120A 600W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA6530WDF

FGA6530WDF

Opis: IGBT 650V 60A 176W TO3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA70N30TTU

FGA70N30TTU

Opis: IGBT 300V 201W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGAF40S65AQ

FGAF40S65AQ

Opis: 650V 40A FS4 SA IGBT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA50T65SHD

FGA50T65SHD

Opis: IGBT 650V 100A 319W TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA6560WDF

FGA6560WDF

Opis: IGBT 650V 120A 306W TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA90N33ATTU

FGA90N33ATTU

Opis: IGBT 330V 90A 223W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA6540WDF

FGA6540WDF

Opis: IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA90N30DTU

FGA90N30DTU

Opis: IGBT 300V 90A 219W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGAF40N60UFDTU

FGAF40N60UFDTU

Opis: IGBT 600V 40A 100W TO3PF

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA50S110P

FGA50S110P

Opis: IGBT 1100V 50A 300W TO3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA70N30TDTU

FGA70N30TDTU

Opis: IGBT 300V 201W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGAF20N60SMD

FGAF20N60SMD

Opis: IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA90N33ATDTU

FGA90N33ATDTU

Opis: IGBT 330V 90A 223W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.