Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > FGA30N65SMD
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5004601Obraz FGA30N65SMD.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA30N65SMD

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.88
10+
$3.486
450+
$2.71
900+
$2.431
1350+
$2.051
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FGA30N65SMD
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 650V 60A 300W TO3P-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FGA30N65SMD.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.5V @ 15V, 30A
  • Stan testu
    400V, 30A, 6 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    14ns/102ns
  • Przełączanie Energy
    716µJ (on), 208µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3P
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    35ns
  • Moc - Max
    300W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-3P-3, SC-65-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Field Stop
  • brama Charge
    87nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Field Stop 650V 60A 300W Through Hole TO-3P
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    90A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    60A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FGA30N65SMD”.
FGA5065ADF

FGA5065ADF

Opis: IGBT 650V 100A TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA25S125P

FGA25S125P

Opis: IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA40N60UFDTU

FGA40N60UFDTU

Opis: IGBT 600V 40A 160W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA25N120FTD

FGA25N120FTD

Opis: IGBT 1200V 50A 313W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA25N120ANTDTU

FGA25N120ANTDTU

Opis: IGBT 1200V 50A 312W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA25N120ANTU

FGA25N120ANTU

Opis: IGBT 1200V 40A 310W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA25S125P-SN00337

FGA25S125P-SN00337

Opis: IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA25N120ANTDTU-F109

FGA25N120ANTDTU-F109

Opis: IGBT 1200V 50A 312W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA30N60LSDTU

FGA30N60LSDTU

Opis: IGBT 600V 60A 480W TO3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA30N120FTDTU

FGA30N120FTDTU

Opis: IGBT 1200V 60A 339W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA3060ADF

FGA3060ADF

Opis: IGBT 600V 60A 176W TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA40S65SH

FGA40S65SH

Opis: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA40T65UQDF

FGA40T65UQDF

Opis: IGBT 650V 80A 231W TO3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA4060ADF

FGA4060ADF

Opis: IGBT 600V 80A 238W TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA40T65SHD

FGA40T65SHD

Opis: IGBT 650V 80A 268W TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA25N120ANDTU

FGA25N120ANDTU

Opis: IGBT 1200V 40A 310W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA30T65SHD

FGA30T65SHD

Opis: IGBT 650V 60A 238W TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA40T65SHDF

FGA40T65SHDF

Opis: IGBT 650V 80A 268W TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA30S120P

FGA30S120P

Opis: IGBT 1300V 60A 348W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FGA40N65SMD

FGA40N65SMD

Opis: IGBT 650V 80A 349W TO3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.