Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDZ663P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5884713Obraz FDZ663P.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDZ663P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDZ663P
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDZ663P.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    4-WLCSP (0.8x0.8)
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    134 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.3W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    4-XFBGA, WLCSP
  • Inne nazwy
    FDZ663P-ND
    FDZ663PTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    525pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.2nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.8x0.8)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDZ663P”.
FDZ8040L

FDZ8040L

Opis: IC LOAD SWITCH 4WLCSP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ375P

FDZ375P

Opis: MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZT40RB7.5

FDZT40RB7.5

Opis: DIODE ZENER 7.5V 100MW SMD0402

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ391P

FDZ391P

Opis: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ4670

FDZ4670

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ4010

FDZ4010

Opis: IC POWER MANAGEMENT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZT40RB6.2

FDZT40RB6.2

Opis: DIODE ZENER 6.2V 100MW SMD0402

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZT40RB6.8

FDZT40RB6.8

Opis: DIODE ZENER 100MW 6.8V SMD0402

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ5047N

FDZ5047N

Opis: MOSFET N-CH 30V 22A BGA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZT40R5.1

FDZT40R5.1

Opis: DIODE ZENER 100MW 5.1V SMD0402

Producenci: Rohm Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZT40RB5.1

FDZT40RB5.1

Opis: DIODE ZENER 5.1V 100MW SMD0402

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ3N513ZT

FDZ3N513ZT

Opis: MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ493P

FDZ493P

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZT40RB5.6

FDZT40RB5.6

Opis: DIODE ZENER 5.6V 100MW SMD0402

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ371PZ

FDZ371PZ

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ7296

FDZ7296

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A BGA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ7064N

FDZ7064N

Opis: MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ7064AS

FDZ7064AS

Opis: MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ661PZ

FDZ661PZ

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDZ4670S

FDZ4670S

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.