Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDS6912A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6572025Obraz FDS6912A.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6912A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.312
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDS6912A
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDS6912A.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    28 mOhm @ 6A, 10V
  • Moc - Max
    900mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    FDS6912ATR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    575pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.1nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDS6912A”.
FDS6961A_F011

FDS6961A_F011

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6982S

FDS6982S

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6930B

FDS6930B

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6898AZ

FDS6898AZ

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6910

FDS6910

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6984AS

FDS6984AS

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6982

FDS6982

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6894AZ

FDS6894AZ

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6898AZ_F085

FDS6898AZ_F085

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6930A

FDS6930A

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6982AS_G

FDS6982AS_G

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6900AS

FDS6900AS

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6898A

FDS6898A

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6912

FDS6912

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6975

FDS6975

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6894A

FDS6894A

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6911

FDS6911

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6961A

FDS6961A

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6982AS

FDS6982AS

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6898A_NF40

FDS6898A_NF40

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.