Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDS4435
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2651194Obraz FDS4435.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS4435

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDS4435
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDS4435.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    20 mOhm @ 8.8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    FDS4435TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1604pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    24nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8.8A (Ta)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDS4435”.
FDS4410

FDS4410

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4141

FDS4141

Opis: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4080N3

FDS4080N3

Opis: MOSFET N-CH 40V 13A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4141-F085

FDS4141-F085

Opis: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4435A

FDS4435A

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4465

FDS4465

Opis: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4501H

FDS4501H

Opis: MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4470

FDS4470

Opis: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4435BZ-F085

FDS4435BZ-F085

Opis: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4072N7

FDS4072N7

Opis: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4480

FDS4480

Opis: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4435BZ

FDS4435BZ

Opis: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4070N7

FDS4070N7

Opis: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4465-F085

FDS4465-F085

Opis: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4072N3

FDS4072N3

Opis: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4070N3

FDS4070N3

Opis: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4080N7

FDS4080N7

Opis: MOSFET N-CH 40V 13A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4488

FDS4488

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS3992

FDS3992

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS4465_SN00187

FDS4465_SN00187

Opis: MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.