Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDP3632
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2740516

FDP3632

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.41
10+
$3.042
100+
$2.494
800+
$1.825
1600+
$1.703
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDP3632
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FDP3632.pdf
    2.FDP3632.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220-3
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    9 mOhm @ 80A, 10V
  • Strata mocy (max)
    310W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta), 80A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDP3632”.
FDP2710-F085

FDP2710-F085

Opis: MOSFET N-CH 250V 4A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP3652

FDP3652

Opis: MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP2670

FDP2670

Opis: MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP3651U

FDP3651U

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP2572

FDP2572

Opis: MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP26N40

FDP26N40

Opis: MOSFET N-CH 400V 26A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP4D5N10C

FDP4D5N10C

Opis: FET ENGR DEV-NOT REL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP39N20

FDP39N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 39A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP34N33

FDP34N33

Opis: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP33N25

FDP33N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 33A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP4020P

FDP4020P

Opis: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP51N25

FDP51N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 51A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP3682

FDP3682

Opis: MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP3205

FDP3205

Opis: MOSFET N-CH 55V 100A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP2D3N10C

FDP2D3N10C

Opis: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP52N20

FDP52N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 52A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP42AN15A0

FDP42AN15A0

Opis: MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP3672

FDP3672

Opis: MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP2710

FDP2710

Opis: MOSFET N-CH 250V 50A TO-220

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP2614

FDP2614

Opis: MOSFET N-CH 200V 62A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.