Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDP10N60NZ
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1119298

FDP10N60NZ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.67
10+
$2.415
100+
$1.941
500+
$1.509
1000+
$1.251
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDP10N60NZ
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FDP10N60NZ.pdf
    2.FDP10N60NZ.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220-3
  • Seria
    UniFET-II™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    750 mOhm @ 5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    185W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1475pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 10A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDP10N60NZ”.
FDP085N10A-F102

FDP085N10A-F102

Opis: MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP150N10

FDP150N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 57A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP120AN15A0

FDP120AN15A0

Opis: MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP10AN06A0

FDP10AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP083N15A-F102

FDP083N15A-F102

Opis: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP100N10

FDP100N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP13AN06A0

FDP13AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP14AN06LA0

FDP14AN06LA0

Opis: MOSFET N-CH 60V 67A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP085N10A

FDP085N10A

Opis: MOSFET N-CH 100V TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP090N10

FDP090N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP083N15A

FDP083N15A

Opis: MOSFET N-CH 150V TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP070AN06A0

FDP070AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP150N10A

FDP150N10A

Opis: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP12N60NZ

FDP12N60NZ

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP12N50NZ

FDP12N50NZ

Opis: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP075N15A-F102

FDP075N15A-F102

Opis: MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP075N15A

FDP075N15A

Opis: MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP120N10

FDP120N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 74A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP150N10A-F102

FDP150N10A-F102

Opis: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP12N50

FDP12N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.