Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDP045N10A-F102
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3158403

FDP045N10A-F102

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.54
10+
$3.163
100+
$2.593
800+
$1.898
1600+
$1.771
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDP045N10A-F102
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDP045N10A-F102.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220-3
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    263W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    FDP045N10A_F102
    FDP045N10A_F102-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    39 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5270pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    74nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDP045N10A-F102”.
FDP054N10

FDP054N10

Opis: MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP047AN08A0-F102

FDP047AN08A0-F102

Opis: MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP060AN08A0

FDP060AN08A0

Opis: MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP047AN08A0

FDP047AN08A0

Opis: MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP032N08-F102

FDP032N08-F102

Opis: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP036N10A

FDP036N10A

Opis: MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP070AN06A0

FDP070AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP030N06B-F102

FDP030N06B-F102

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP047N10

FDP047N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP047N08

FDP047N08

Opis: MOSFET N-CH 75V 164A TO-220

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP032N08

FDP032N08

Opis: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP038AN06A0

FDP038AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP053N08B-F102

FDP053N08B-F102

Opis: MOSFET N-CH 80V 75A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP047N08-F102

FDP047N08-F102

Opis: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP045N10A

FDP045N10A

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP050AN06A0

FDP050AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP032N08B-F102

FDP032N08B-F102

Opis: MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP038AN06A0-F102

FDP038AN06A0-F102

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP040N06

FDP040N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDP039N08B-F102

FDP039N08B-F102

Opis: MOSFET N CH 80V 120A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.