Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDN5632N-F085

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2732453

FDN5632N-F085

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.169

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FDN5632N-F085
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

1.FDN5632N-F085.pdf
2.FDN5632N-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

SuperSOT-3
Seria

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @ ID, Vgs

82 mOhm @ 1.7A, 10V
Strata mocy (max)

1.1W (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Inne nazwy

FDN5632N-F085TR
FDN5632N_F085
FDN5632N_F085TR
FDN5632N_F085TR-ND
FDN5632NF085
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

35 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

475pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

12nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

60V
szczegółowy opis

N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

1.7A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FDN5632N-F085”.

FDN360P

FDN360P

Opis: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN342P

FDN342P

Opis: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN352AP

FDN352AP

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN5618P

FDN5618P

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN361BN

FDN361BN

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN358P

FDN358P

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN357N

FDN357N

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN359BN

FDN359BN

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN537N

FDN537N

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN86501LZ

FDN86501LZ

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN86246

FDN86246

Opis: MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN359BN

FDN359BN

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor

Na stanie

FDN371N

FDN371N

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN86265P

FDN86265P

Opis: MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN8601

FDN8601

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN372S

FDN372S

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN5630

FDN5630

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN359AN

FDN359AN

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN5618P_G

FDN5618P_G

Opis: INTEGRATED CIRCUIT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDN361AN

FDN361AN

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.