Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDN5618P_G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1496210

FDN5618P_G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDN5618P_G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SuperSOT-3
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    170 mOhm @ 1.25A, 10V
  • Strata mocy (max)
    500mW (Ta)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    430pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    13.8nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.25A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDN5618P_G”.
FDN537N

FDN537N

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN372S

FDN372S

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN358P

FDN358P

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN86501LZ

FDN86501LZ

Opis: MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN357N

FDN357N

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN86265P

FDN86265P

Opis: MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN371N

FDN371N

Opis: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN86246

FDN86246

Opis: MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN342P

FDN342P

Opis: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN360P

FDN360P

Opis: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN5630

FDN5630

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN8601

FDN8601

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.