Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDN339AN_G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5061731

FDN339AN_G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDN339AN_G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SuperSOT-3
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    35 mOhm @ 3A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    500mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    700pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDN339AN_G”.
FDN327N

FDN327N

Opis: MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN338P

FDN338P

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN340P

FDN340P

Opis: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN342P

FDN342P

Opis: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN339AN

FDN339AN

Opis: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN337N

FDN337N

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN336P-NL

FDN336P-NL

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN357N

FDN357N

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN358P

FDN358P

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN306P

FDN306P

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN336P

FDN336P

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN335N

FDN335N

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN360P

FDN360P

Opis: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN308P

FDN308P

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDN338P_G

FDN338P_G

Opis: INTEGRATED CIRCUIT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.