Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDMS0312AS
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7046142

FDMS0312AS

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.215
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDMS0312AS
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 18A PT8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDMS0312AS.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-PQFN (5x6)
  • Seria
    PowerTrench®, SyncFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5 mOhm @ 18A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 36W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    FDMS0312ASTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    26 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1815pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    18A (Ta), 22A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDMS0312AS”.
FDMS1D4N03S

FDMS1D4N03S

Opis: MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS0308AS

FDMS0308AS

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A PT8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS0310S

FDMS0310S

Opis: MOSFET N-CH 30V 19A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS039N08B

FDMS039N08B

Opis: MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS1D5N03

FDMS1D5N03

Opis: MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS037N08B

FDMS037N08B

Opis: MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS2506SDC

FDMS2506SDC

Opis: MOSFET N-CH 25V 39A POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS0312S

FDMS0312S

Opis: MOSFET N-CH 30V 19A POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS0302S

FDMS0302S

Opis: MOSFET N-CH 30V 29A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS0306S

FDMS0306S

Opis: INTEGRATED CIRCUIT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS0308CS

FDMS0308CS

Opis: MOSFET N-CH 30V POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS2508SDC

FDMS2508SDC

Opis: MOSFET N-CH 25V 34A POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS0306AS

FDMS0306AS

Opis: MOSFET N-CH 30V 26A PT8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

Opis: MOSFET N-CH 25V 42A POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS0310AS

FDMS0310AS

Opis: MOSFET N-CH 30V 19A PT8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS030N06B

FDMS030N06B

Opis: MOSFET N-CH 60V 22.1A POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS2380

FDMS2380

Opis: IC SOLENOID DRIVER DUAL 18QFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS10C4D2N

FDMS10C4D2N

Opis: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS0309AS_SN00347

FDMS0309AS_SN00347

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMS0309AS

FDMS0309AS

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A PT8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.