Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDMD82100L
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3866197Obraz FDMD82100L.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMD82100L

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$1.164
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDMD82100L
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDMD82100L.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    12-Power3.3x5
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    19.5 mOhm @ 7A, 10V
  • Moc - Max
    1W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    12-PowerWDFN
  • Inne nazwy
    FDMD82100LTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    39 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1585pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 7A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    7A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDMD82100L”.
FDMC8882

FDMC8882

Opis: MOSFET N-CH 30V 8-MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMC8678S

FDMC8678S

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A POWER33

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8260L

FDMD8260L

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8240L

FDMD8240L

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 23A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMC8878

FDMC8878

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD85100

FDMD85100

Opis: MOSFET 2N-CH 100V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8530

FDMD8530

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 35A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8280

FDMD8280

Opis: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8440L

FDMD8440L

Opis: FET ENGR DEV-NOT REL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMC9430L-F085

FDMC9430L-F085

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 40V 12A 8MLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8430

FDMD8430

Opis: FET ENGR DEV-NOT REL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8240LET40

FDMD8240LET40

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMC8878_F126

FDMC8878_F126

Opis: MOSFET N-CH 30V PWR33

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMC8854

FDMC8854

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A POWER33

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMC8884-F126

FDMC8884-F126

Opis: MOSFET N-CH 30V PWR33

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMC8884

FDMC8884

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A POWER33

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD84100

FDMD84100

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8260LET60

FDMD8260LET60

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 15A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD82100

FDMD82100

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMC89521L

FDMC89521L

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.