Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDH50N50-F133

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5191441

Obraz FDH50N50-F133.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDH50N50-F133

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$9.99

10+

$8.994

450+

$6.795

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FDH50N50-F133
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

FDH50N50-F133.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

TO-247
Seria

UniFET™
RDS (Max) @ ID, Vgs

105 mOhm @ 24A, 10V
Strata mocy (max)

625W (Tc)
Opakowania

Tube
Package / Case

TO-247-3
Inne nazwy

FDH50N50_F133
FDH50N50_F133-ND
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

6460pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

137nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

500V
szczegółowy opis

N-Channel 500V 48A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FDH50N50-F133”.

FDH444_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH700_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 20V 150MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH5500

Opis: MOSFET N-CH 55V 75A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH444

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH45N50F-F133

Opis: MOSFET N-CH 500V 45A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH600_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH400TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH633605

Opis: MOSFET N-CH DO-35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH700

Opis: DIODE GEN PURP 20V 150MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH444TR

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH50N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 48A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH400_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH400

Opis: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH3632

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH400_T50A

Opis: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH600

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH5500-F085

Opis: MOSFET N-CH 55V 75A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH44N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 44A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH600_T50A

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH3595

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.