Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDH038AN08A1

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

6071008

Obraz FDH038AN08A1.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDH038AN08A1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$8.52

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FDH038AN08A1
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

FDH038AN08A1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

TO-247
Seria

PowerTrench®
RDS (Max) @ ID, Vgs

3.8 mOhm @ 80A, 10V
Strata mocy (max)

450W (Tc)
Opakowania

Tube
Package / Case

TO-247-3
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

8665pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

160nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

75V
szczegółowy opis

N-Channel 75V 22A (Ta), 80A (Tc) 450W (Tc) Through Hole TO-247
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 80A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FDH038AN08A1”.

FDH333_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH300ATR

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH400_T50A

Opis: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH3632

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH047AN08A0

Opis: MOSFET N-CH 75V 80A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH27N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 27A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH300_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH400_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH3595

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH333

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH300

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH15N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 15A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH300A_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH300A

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH210N08

Opis: MOSFET N-CH 75V 210A TO-247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH300TR

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH400

Opis: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH333TR

Opis: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH400TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDH055N15A

Opis: MOSFET N-CH 150V TO-247-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.