Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDD6612A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
635853

FDD6612A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.408
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDD6612A
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDD6612A.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-PAK (TO-252)
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    20 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.8W (Ta), 36W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    FDD6612A-ND
    FDD6612ATR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    42 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    660pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    9.4nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 9.5A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta), 30A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDD6612A”.
FDD6296

FDD6296

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6630A

FDD6630A

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD5N60NZTM

FDD5N60NZTM

Opis: MOSFET N-CH 600V DPAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6530A

FDD6530A

Opis: MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD5N50UTF_WS

FDD5N50UTF_WS

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD5N50UTM-WS

FDD5N50UTM-WS

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6676AS

FDD6676AS

Opis: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6670AL

FDD6670AL

Opis: MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD5N50TM-WS

FDD5N50TM-WS

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6670A

FDD6670A

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6637

FDD6637

Opis: MOSFET P-CH 35V 13A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6670AS

FDD6670AS

Opis: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6672A

FDD6672A

Opis: MOSFET N-CH 30V 65A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6512A

FDD6512A

Opis: MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6606

FDD6606

Opis: MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6635

FDD6635

Opis: MOSFET N-CH 35V 15A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6632

FDD6632

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6637-F085

FDD6637-F085

Opis: MOSFET P-CH 35V 13A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD5N53TM_WS

FDD5N53TM_WS

Opis: MOSFET N-CH 530V 4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD6030L

FDD6030L

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.