Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDD3672-F085
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
514376

FDD3672-F085

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.672
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDD3672-F085
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 44A DPAK-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDD3672-F085.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252AA
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    47 mOhm @ 21A, 6V
  • Strata mocy (max)
    144W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    FDD3672-F085TR
    FDD3672_F085
    FDD3672_F085-ND
    FDD3672_F085TR
    FDD3672_F085TR-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1635pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 44A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    44A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDD3672-F085”.
FDD3N40TM

FDD3N40TM

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD26AN06A0-F085

FDD26AN06A0-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3706

FDD3706

Opis: MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3860

FDD3860

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3570

FDD3570

Opis: MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3510H

FDD3510H

Opis: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3682

FDD3682

Opis: MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3682-F085

FDD3682-F085

Opis: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3670

FDD3670

Opis: MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD26AN06A0

FDD26AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD306P

FDD306P

Opis: MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD300004

FDD300004

Opis: OSC XO 133.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDD3N40TF

FDD3N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD330003

FDD330003

Opis: OSCILLATOR XO 133.33MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDD3580

FDD3580

Opis: MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD390N15ALZ

FDD390N15ALZ

Opis: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD390N15A

FDD390N15A

Opis: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3680

FDD3680

Opis: MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3672

FDD3672

Opis: MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD3690

FDD3690

Opis: MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.