Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDC6506P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4526628Obraz FDC6506P.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC6506P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.72
10+
$0.629
100+
$0.486
500+
$0.36
1000+
$0.288
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDC6506P
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDC6506P.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SuperSOT™-6
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    170 mOhm @ 1.8A, 10V
  • Moc - Max
    700mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    FDC6506PCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    42 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    190pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    3.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.8A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDC6506P”.
FDC6901L

FDC6901L

Opis: IC LOAD SWITCH INT SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC640P

FDC640P

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC654P

FDC654P

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC697P

FDC697P

Opis: MOSFET P-CH 20V 8A 6-SSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC658P

FDC658P

Opis: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC655BN

FDC655BN

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC6420C

FDC6420C

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC642P-F085P

FDC642P-F085P

Opis: PMOS SSOT6 20V 65 MOHM

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC642P_SB4N006

FDC642P_SB4N006

Opis: MOSFET N-CH SSOT6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC642P-F085

FDC642P-F085

Opis: MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC640P_F095

FDC640P_F095

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC658AP

FDC658AP

Opis: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC655AN

FDC655AN

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC645N_F095

FDC645N_F095

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC645N

FDC645N

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC6561AN

FDC6561AN

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC642P

FDC642P

Opis: MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC655BN_NBNN007

FDC655BN_NBNN007

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC653N

FDC653N

Opis: MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC6432SH

FDC6432SH

Opis: MOSFET N/P-CH 30V/12V SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.