Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDC5612_F095
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1103537Obraz FDC5612_F095.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC5612_F095

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDC5612_F095
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDC5612_F095.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SuperSOT™-6
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    55 mOhm @ 4.3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.6W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    650pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.3A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDC5612_F095”.
FDC6000NZ_F077

FDC6000NZ_F077

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6-SSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC500016

FDC500016

Opis: OSC XO 125.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDC6000NZ

FDC6000NZ

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC6020C

FDC6020C

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC500019

FDC500019

Opis: OSC XO 125.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDC500017

FDC500017

Opis: OSC XO 125.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDC5614P_D87Z

FDC5614P_D87Z

Opis: MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC5614P

FDC5614P

Opis: MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC5661N-F085

FDC5661N-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 6-SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC500020

FDC500020

Opis: OSC XO 125.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDC500015

FDC500015

Opis: OSC XO 125.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDC5612

FDC5612

Opis: MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC602P_F095

FDC602P_F095

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC500026

FDC500026

Opis: OSC XO 125.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDC500018

FDC500018

Opis: OSC XO 125.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDC500022

FDC500022

Opis: OSC XO 125.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDC6020C_F077

FDC6020C_F077

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC602P

FDC602P

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC500024

FDC500024

Opis: OSC XO 125.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDC5XPRCA02H132X

FDC5XPRCA02H132X

Opis: CONN D-SUB PLUG 50POS VERT SLDR

Producenci: Conec
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.