Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDC3601N
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4190241Obraz FDC3601N.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC3601N

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.26
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDC3601N
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDC3601N.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SuperSOT™-6
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    500 mOhm @ 1A, 10V
  • Moc - Max
    700mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    FDC3601N-ND
    FDC3601NTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    153pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDC3601N”.
FDC2XSRAA19H132X

FDC2XSRAA19H132X

Opis: CONN D-SUB RCPT 15POS VERT SLDR

Producenci: Conec
Na stanie
RFQ
FDC37B787-NS

FDC37B787-NS

Opis: IC CTRLR SUPER I/O ENH 128-QFP

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
FDC37B727-NS

FDC37B727-NS

Opis: IC CTRLR SUPER I/O ENH 128-QFP

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
FDC3512_F095

FDC3512_F095

Opis: MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC2512_F095

FDC2512_F095

Opis: MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC37B782-NS

FDC37B782-NS

Opis: IC CTRLR ENHNCD SUPER I/O 128QFP

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
FDC2XPTAM39S181A ND

FDC2XPTAM39S181A ND

Opis: CONN D-SUB PLUG 15POS R/A SOLDER

Producenci: Conec
Na stanie
RFQ
FDC3535

FDC3535

Opis: MOSFET P-CH 80V 6-SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC2512

FDC2512

Opis: MOSFET N-CH 150V 1.4A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC3512

FDC3512

Opis: MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC37C669-MT

FDC37C669-MT

Opis: IC CTRLR SUPER I/O FLPPY 100TQFP

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
FDC37C665GT-MS

FDC37C665GT-MS

Opis: IC CTRLR SUPER I/O MULTI 100-QFP

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
FDC3616N

FDC3616N

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC365P

FDC365P

Opis: MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC3612

FDC3612

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC30N20DZ

FDC30N20DZ

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC2612

FDC2612

Opis: MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC3612_F095

FDC3612_F095

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC2612_F095

FDC2612_F095

Opis: MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDC37C669-MS

FDC37C669-MS

Opis: IC CTRLR SUPER I/O FLPPY 100QFP

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.