Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDB86360-F085

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

1303162

Obraz FDB86360-F085.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB86360-F085

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$5.35

10+

$4.773

100+

$3.914

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FDB86360-F085
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

FDB86360-F085.pdf
Model ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D²PAK (TO-263AB)
Seria

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @ ID, Vgs

1.8 mOhm @ 80A, 10V
Strata mocy (max)

333W (Tc)
Opakowania

Cut Tape (CT)
Package / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Inne nazwy

FDB86360-F085CT
FDB86360_F085CT
FDB86360_F085CT-ND
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

33 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

14600pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

253nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

80V
szczegółowy opis

N-Channel 80V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FDB86360-F085”.

FDB86363-F085

Opis: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86566-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86102LZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86360_SN00307

FDB86360_SN00307

Opis: MOSFET N-CH 80V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86366-F085

Opis: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8443-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86135

Opis: MOSFET N-CH 100V D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86569-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8860-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8445-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8444TS

FDB8444TS

Opis: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8832-F085

Opis: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8453LZ

Opis: MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8444-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8860

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8444

Opis: MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8445

Opis: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8832

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB86563-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB8447L

Opis: MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Aktualności Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.