Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FD6M016N03
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
240542Obraz FD6M016N03.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FD6M016N03

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FD6M016N03
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FD6M016N03.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    EPM15
  • Seria
    Power-SPM™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.6 mOhm @ 40A, 10V
  • Moc - Max
    -
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    EPM15
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    11535pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    295nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 80A Through Hole EPM15
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    80A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FD6M016N03”.
FD6250011

FD6250011

Opis: OSCILLATOR XO 62.5MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6660024

FD6660024

Opis: OSCILLATOR XO 66.667MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6M033N06

FD6M033N06

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 73A EPM15

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FD6800001

FD6800001

Opis: OSCILLATOR XO 68MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6600017

FD6600017

Opis: OSCILLATOR XO 66.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6400008

FD6400008

Opis: OSCILLATOR XO 64.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6660017

FD6660017

Opis: OSCILLATOR XO 66.666MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6660019

FD6660019

Opis: OSC XO 66.6667MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6M043N08

FD6M043N08

Opis: MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FD6660016

FD6660016

Opis: OSCILLATOR XO 66.666MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6600016

FD6600016

Opis: OSCILLATOR XO 66.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6400006

FD6400006

Opis: OSCILLATOR XO 64.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6660018

FD6660018

Opis: OSCILLATOR XO 66.666MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6660021

FD6660021

Opis: OSC XO 66.6667MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD650R17IE4BOSA2

FD650R17IE4BOSA2

Opis: MODULE IGBT PRIME2-1

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FD6660020

FD6660020

Opis: OSC XO 66.6667MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6600015

FD6600015

Opis: OSCILLATOR XO 66.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6400007

FD6400007

Opis: OSCILLATOR XO 64.000MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6250012

FD6250012

Opis: OSCILLATOR XO 62.5MHZ CMOS SMD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FD6M045N06

FD6M045N06

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.