Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCP20N60_F080
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3661643

FCP20N60_F080

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCP20N60_F080
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.FCP20N60_F080.pdf
    2.FCP20N60_F080.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220-3
  • Seria
    SuperFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    190 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    208W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3080pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    98nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCP20N60_F080”.
FCP2416H124G-D1

FCP2416H124G-D1

Opis: CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP2416H124G

FCP2416H124G

Opis: CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1913H823J-E2

FCP1913H823J-E2

Opis: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1913H823J

FCP1913H823J

Opis: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1913H823J-E4

FCP1913H823J-E4

Opis: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP2416H124J-D1

FCP2416H124J-D1

Opis: CAP FILM 0.12UF 5% 50VDC 2416

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP20N60_G

FCP20N60_G

Opis: INTEGRATED CIRCUIT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP1913H823G

FCP1913H823G

Opis: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP20N60FS

FCP20N60FS

Opis: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP2416H154G-D1

FCP2416H154G-D1

Opis: CAP FILM 0.15UF 2% 50VDC 2416

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1913H823G-E4

FCP1913H823G-E4

Opis: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1913H683J-E2

FCP1913H683J-E2

Opis: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP22N60N-F102

FCP22N60N-F102

Opis: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP1913H823G-E2

FCP1913H823G-E2

Opis: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1913H683J-E1

FCP1913H683J-E1

Opis: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP2416H124J

FCP2416H124J

Opis: CAP FILM 0.12UF 5% 50VDC 2416

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP20N60

FCP20N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP2416H154G

FCP2416H154G

Opis: CAP FILM 0.15UF 2% 50VDC 2416

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP220N80

FCP220N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 23A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP22N60N

FCP22N60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.