Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCP190N65S3R0
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6348986

FCP190N65S3R0

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
800+
$1.655
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCP190N65S3R0
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCP190N65S3R0.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1.7mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220-3
  • Seria
    SuperFET® III
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    190 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    144W (Tc)
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1350pF @ 400V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    650V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 650V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    17A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCP190N65S3R0”.
FCP1913H563G

FCP1913H563G

Opis: CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP190N60

FCP190N60

Opis: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP170N60

FCP170N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 22A TO220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP165N65S3R0

FCP165N65S3R0

Opis: SUPERFET3 650V TO220 PKG

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP1913H473J

FCP1913H473J

Opis: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1913H473G

FCP1913H473G

Opis: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1913H104G

FCP1913H104G

Opis: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP16N60N-F102

FCP16N60N-F102

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP16N60N

FCP16N60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP190N60-GF102

FCP190N60-GF102

Opis: MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP16N60

FCP16N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP1913H104J-E2

FCP1913H104J-E2

Opis: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1913H104G-E2

FCP1913H104G-E2

Opis: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1913H473J-E1

FCP1913H473J-E1

Opis: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP190N60E

FCP190N60E

Opis: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP1913H104G-E3

FCP1913H104G-E3

Opis: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP1913H104J-E3

FCP1913H104J-E3

Opis: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
FCP190N65F

FCP190N65F

Opis: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP190N65S3

FCP190N65S3

Opis: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP1913H473G-E1

FCP1913H473G-E1

Opis: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.