Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCD850N80Z
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4051599

FCD850N80Z

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$1.087
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCD850N80Z
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCD850N80Z.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 600µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DPAK
  • Seria
    SuperFET® II
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    850 mOhm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    75W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    FCD850N80ZTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    52 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1315pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 6A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCD850N80Z”.
FCD360N65S3R0

FCD360N65S3R0

Opis: SUPERFET3 650V DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD3400N80Z

FCD3400N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD7N60TM

FCD7N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD4N60TM_WS

FCD4N60TM_WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD3400N80Z

FCD3400N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD380N60E

FCD380N60E

Opis: MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD600N65S3R0

FCD600N65S3R0

Opis: SUPERFET3 650V DPAK PKG

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD4N60TM

FCD4N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD260N65S3

FCD260N65S3

Opis: MOSFET N-CH 260MOHM TO252

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD900N60Z

FCD900N60Z

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD5N60TM-WS

FCD5N60TM-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD600N60Z

FCD600N60Z

Opis: MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD620N60ZF

FCD620N60ZF

Opis: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD7N60TM-WS

FCD7N60TM-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD7N60TF

FCD7N60TF

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD5N60-F085

FCD5N60-F085

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD5N60TF

FCD5N60TF

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD4N60TF

FCD4N60TF

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD9N60NTM

FCD9N60NTM

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD5N60TM

FCD5N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.