Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCD360N65S3R0
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1512213Obraz FCD360N65S3R0.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCD360N65S3R0

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.80
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCD360N65S3R0
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    SUPERFET3 650V DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    FCD360N65S3R0.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-PAK (TO-252)
  • Seria
    SuperFET® III
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    360 mOhm @ 5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    83W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    FCD360N65S3R0-ND
    FCD360N65S3R0OSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy
    Lead free
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    730pF @ 400V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    650V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 650V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCD360N65S3R0”.
FCD2250N80Z

FCD2250N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD4N60TM_WS

FCD4N60TM_WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD5N60TF

FCD5N60TF

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD1300N80Z

FCD1300N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 4A TO252

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD5N60TM

FCD5N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD121250TP

FCD121250TP

Opis: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 50VDC 1206

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
FCD380N60E

FCD380N60E

Opis: MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD5N60-F085

FCD5N60-F085

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD121200TP

FCD121200TP

Opis: FUSE BOARD MOUNT 2A 50VDC 1206

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
FCD3400N80Z

FCD3400N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD121400TP

FCD121400TP

Opis: FUSE BOARD MOUNT 4A 32VDC 1206

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
FCD121315TP

FCD121315TP

Opis: FUSE BOARD MNT 3.15A 32VDC 1206

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
FCD600N60Z

FCD600N60Z

Opis: MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD260N65S3

FCD260N65S3

Opis: MOSFET N-CH 260MOHM TO252

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD4N60TM

FCD4N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD4N60TF

FCD4N60TF

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD121500TP

FCD121500TP

Opis: FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 1206

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
FCD600N65S3R0

FCD600N65S3R0

Opis: SUPERFET3 650V DPAK PKG

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD3400N80Z

FCD3400N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCD5N60TM-WS

FCD5N60TM-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.