Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCB20N60F-F085
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4270856Obraz FCB20N60F-F085.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCB20N60F-F085

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.43
10+
$5.737
100+
$4.704
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCB20N60F-F085
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCB20N60F-F085.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-263AB
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    195 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    405W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    FCB20N60F-F085DKR
    FCB20N60F_F085DKR
    FCB20N60F_F085DKR-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2035pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    102nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 20A (Tc) 405W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)
  • Podstawowy numer części
    FCB20N60

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCB20N60F-F085”.
FCB070N65S3

FCB070N65S3

Opis: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCB199N65S3

FCB199N65S3

Opis: MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCB-405-0622M

FCB-405-0622M

Opis: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FCB2100RJ

FCB2100RJ

Opis: RES 100 OHM 2W 5% RADIAL

Producenci: AMP Connectors / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FCB21K0J

FCB21K0J

Opis: RES 1.00K OHM 2W 5% RADIAL

Producenci: AMP Connectors / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FCB20N60-F085

FCB20N60-F085

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCB22K2J

FCB22K2J

Opis: RES 2.20K OHM 2W 5% RADIAL

Producenci: AMP Connectors / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FCB210RJ

FCB210RJ

Opis: RES 10 OHM 2W 5% RADIAL

Producenci: AMP Connectors / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FCB11N60FTM

FCB11N60FTM

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCB-405-0625M

FCB-405-0625M

Opis: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Producenci: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Na stanie
RFQ
FCB222RJ

FCB222RJ

Opis: RES 22.0 OHM 2W 5% RADIAL

Producenci: AMP Connectors / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FCB2220RJ

FCB2220RJ

Opis: RES 220 OHM 2W 5% RADIAL

Producenci: AMP Connectors / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FCB20N60TM

FCB20N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCB22R2J

FCB22R2J

Opis: RES 2.20 OHM 2W 5% RADIAL

Producenci: AMP Connectors / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FCB-405-0624M

FCB-405-0624M

Opis: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FCB11N60TM

FCB11N60TM

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCB21R0J

FCB21R0J

Opis: RES 1.00 OHM 2W 5% RADIAL

Producenci: AMP Connectors / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FCB-405-BZ4

FCB-405-BZ4

Opis: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Producenci: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Na stanie
RFQ
FCB110N65F

FCB110N65F

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCB20N60FTM

FCB20N60FTM

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.