Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > ESD5481MUT3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4175265Obraz ESD5481MUT3G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ESD5481MUT3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10000+
$0.046
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ESD5481MUT3G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 5V 15V 2X3DFN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    5V (Max)
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    15V
  • Napięcie - podziały (min)
    5.7V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    2-X3DFN (0.62x0.32)
  • Seria
    -
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    0201 (0603 Metric)
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    4 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    2A (8/20µs)
  • Pojemność @ Częstotliwość
    12pF @ 1MHz
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „ESD5481MUT3G”.
ESD55C103K4T2A-18

ESD55C103K4T2A-18

Opis: CAP CER 10000PF 50V X7R 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
ESD55C333K4T2A-22

ESD55C333K4T2A-22

Opis: CAP CER 0.033UF 50V X7R 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
ESD5384NCTBG

ESD5384NCTBG

Opis: TVS DIODE 3V 9WLCSP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ESD52233

ESD52233

Opis: SOLID STATE TIMER (D.O.M.)

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
ESD5581MXT5G

ESD5581MXT5G

Opis: TVS DIODE 5V 12V 2X3DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ESD5484FCT5G

ESD5484FCT5G

Opis: TVS DIODE 5VWM 11.5VC

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ESD5481MUT5G

ESD5481MUT5G

Opis: TVS DIODE 5V 12.4V 2X3DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ESD51C104K4T2A-24

ESD51C104K4T2A-24

Opis: CAP CER 0.1UF 100V X7R 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
ESD55C223K4T2A-22

ESD55C223K4T2A-22

Opis: CAP CER 0.022UF 50V X7R 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
ESD51C472K4T2A-18

ESD51C472K4T2A-18

Opis: CAP CER 4700PF 100V X7R 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
ESD53C105K4T2A-26

ESD53C105K4T2A-26

Opis: CAP CER 1UF 25V X7R 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
ESD55C104K4T2A-24

ESD55C104K4T2A-24

Opis: CAP CER 0.1UF 50V X7R 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
ESD5482MUT5G

ESD5482MUT5G

Opis: TVS DIODE 3.3V 7.8V 2X3DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ESD51C223K4T2A-22

ESD51C223K4T2A-22

Opis: CAP CER 0.022UF 100V X7R 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
ESD51C103K4T2A-18

ESD51C103K4T2A-18

Opis: CAP CER 10000PF 100V X7R 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
ESD5381MUT5G

ESD5381MUT5G

Opis: TVS DIODE 3V 10.5V 2X3DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ESD5382MUT5G

ESD5382MUT5G

Opis: TVS DIODE 3V 26V 2X3DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ESD5483FCT5G

ESD5483FCT5G

Opis: TVS DIODE BI-DIR SMD5

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ESD5205P6T6G

ESD5205P6T6G

Opis: TVS DIODE 5VWM 10VC SOT

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ESD55C153K4T2A-20

ESD55C153K4T2A-20

Opis: CAP CER 0.015UF 50V X7R 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.