Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > EGP10J
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5594602Obraz EGP10J.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

EGP10J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EGP10J
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    EGP10J.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.7V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-41
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    75ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Inne nazwy
    EGP10J-ND
    EGP10JTR
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-41
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    EGP10J

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „EGP10J”.
EGP20B-E3/54

EGP20B-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EGP20AHE3/54

EGP20AHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EGP20A-E3/73

EGP20A-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EGP10GHM3/73

EGP10GHM3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
EGP10GHM3/54

EGP10GHM3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
EGP20AHE3/73

EGP20AHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EGP20B

EGP20B

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO15

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
EGP10GHE3/53

EGP10GHE3/53

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
EGP10GE-M3/73

EGP10GE-M3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
EGP20A-TP

EGP20A-TP

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO15

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
EGP10K

EGP10K

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
EGP10GEHE3/54

EGP10GEHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EGP20B-E3/73

EGP20B-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EGP10GHE3/73

EGP10GHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EGP10GHE3/54

EGP10GHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EGP20A

EGP20A

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO15

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
EGP10GE-E3/54

EGP10GE-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EGP10GEHM3/73

EGP10GEHM3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
EGP10GE-M3/54

EGP10GE-M3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
EGP20A-E3/54

EGP20A-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.