Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BVSS123LT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6946695Obraz BVSS123LT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS123LT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.076
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BVSS123LT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BVSS123LT1G.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6 Ohm @ 100mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    225mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    BVSS123LT1G-ND
    BVSS123LT1GOSTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    40 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    20pF @ 25V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    170mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BVSS123LT1G”.
IRF2804

IRF2804

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI3400A-TP

SI3400A-TP

Opis: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
STB34N50DM2AG

STB34N50DM2AG

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IXFX210N30X3

IXFX210N30X3

Opis: 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
CPH3455-TL-H

CPH3455-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 35V 3A CPH3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

Opis: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF9510L

IRF9510L

Opis: MOSFET P-CH 100V 4A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

Opis: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

Opis: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
IXFB90N85X

IXFB90N85X

Opis: 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
VMO550-01F

VMO550-01F

Opis: MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRF7483MTRPBF

IRF7483MTRPBF

Opis: MOSFET N-CH 40V 135A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQP3N25

FQP3N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFR024TRL

IRFR024TRL

Opis: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

Opis: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STF13NM60N-H

STF13NM60N-H

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRFR13N20DCPBF

IRFR13N20DCPBF

Opis: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STP2N95K5

STP2N95K5

Opis: MOSFET N-CH 950V 2A TO220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

Opis: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.