Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BS108ZL1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3125393

BS108ZL1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BS108ZL1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BS108ZL1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-92-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    8 Ohm @ 100mA, 2.8V
  • Strata mocy (max)
    350mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Inne nazwy
    BS108ZL1GOS
    BS108ZL1GOS-ND
    BS108ZL1GOSTB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    150pF @ 25V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2V, 2.8V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BS108ZL1G”.
BS107P

BS107P

Opis: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BS107PSTOB

BS107PSTOB

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BS12I

BS12I

Opis: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
BS120E0F

BS120E0F

Opis: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
BS108/01,126

BS108/01,126

Opis: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
BS12I-HD-24AWG

BS12I-HD-24AWG

Opis: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE HD

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
BS12T

BS12T

Opis: 9V SNAP T STYLE 12" WIRE LEADS

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
BS107ARL1

BS107ARL1

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BS107ARL1G

BS107ARL1G

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BS107PSTZ

BS107PSTZ

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BS108G

BS108G

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BS12I-MC

BS12I-MC

Opis: SNAPS 9V 12" I-STYLE MOLDED

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
BS12I-NICAD

BS12I-NICAD

Opis: NICAD BATT 9V 3WIRE LEAD PL BODY

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
BS12I-22

BS12I-22

Opis: 9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADS

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
BS12T-HD

BS12T-HD

Opis: 9V HD SNAP T STYLE 12" WIRE LEAD

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
BS108,126

BS108,126

Opis: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
BS107PSTOA

BS107PSTOA

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BS107G

BS107G

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BS12T-MC

BS12T-MC

Opis: 9V SNAP T STYLE 12" WIRE W/COVER

Producenci: MPD (Memory Protection Devices)
Na stanie
RFQ
BS120

BS120

Opis: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.