Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > BAS16LT3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1445725Obraz BAS16LT3G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BAS16LT3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.11
10+
$0.101
100+
$0.055
500+
$0.034
1000+
$0.023
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BAS16LT3G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BAS16LT3G.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.25V @ 150mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Prędkość
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    6ns
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    BAS16LT3GOSDKR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    36 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    200mA (DC)
  • Pojemność @ VR F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    BAS16

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BAS16LT3G”.
BAS16J,115

BAS16J,115

Opis: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS16HT3G

BAS16HT3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BAS16P2T5G

BAS16P2T5G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD923

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BAS16HTWQ-13

BAS16HTWQ-13

Opis: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BAS16SH6327XTSA1

BAS16SH6327XTSA1

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BAS16T,115

BAS16T,115

Opis: DIODE GEN PURP 100V 155MA SC75

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
BAS16L,315

BAS16L,315

Opis: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS16HTW-13

BAS16HTW-13

Opis: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BAS16LT1G

BAS16LT1G

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BAS16SH6727XTSA1

BAS16SH6727XTSA1

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BAS16T-TP

BAS16T-TP

Opis: DIODE GEN PURP 85V 75MA SOT523

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
BAS16QAZ

BAS16QAZ

Opis: DIODE GP 100V 290MA DFN1010D-3

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS16HTWQ-13R

BAS16HTWQ-13R

Opis: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BAS16SE6327BTSA1

BAS16SE6327BTSA1

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BAS16SL

BAS16SL

Opis: DIODE GEN PURP 85V 150MA SOD923

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BAS16J,135

BAS16J,135

Opis: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS16M3T5G

BAS16M3T5G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BAS16LD,315

BAS16LD,315

Opis: DIODE GP 100V 215MA SOD882D

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS16LP-7

BAS16LP-7

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA 2DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BAS16T-7-F

BAS16T-7-F

Opis: DIODE GP 85V 75MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.