Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 5LN01SS-TL-H
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5348307

5LN01SS-TL-H

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    5LN01SS-TL-H
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    5LN01SS-TL-H.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    3-SSFP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    7.8 Ohm @ 50mA, 4V
  • Strata mocy (max)
    150mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-81
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6.6pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.57nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    50V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 50V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-SSFP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „5LN01SS-TL-H”.
BUK7C3R8-80EJ

BUK7C3R8-80EJ

Opis: MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
TK750A60F,S4X

TK750A60F,S4X

Opis: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
NVD5407NT4G

NVD5407NT4G

Opis: MOSFET N-CH 40V 7.6A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TPC8A02-H(TE12L,Q)

TPC8A02-H(TE12L,Q)

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
5LN01C-TB-E

5LN01C-TB-E

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFB18N50KPBF

IRFB18N50KPBF

Opis: MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
5LN01M-TL-E

5LN01M-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.1A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK762R6-60E,118

BUK762R6-60E,118

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
5LN01M-TL-H

5LN01M-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA SC59

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
5LN01C-TB-H

5LN01C-TB-H

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA CP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI7860ADP-T1-GE3

SI7860ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RRH050P03TB1

RRH050P03TB1

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A SOP8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
5LN01SS-TL-E

5LN01SS-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
5LN01S-TL-E

5LN01S-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
5LN01C-TB-EX

5LN01C-TB-EX

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
STL90N6F7

STL90N6F7

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A F7 8PWRFLAT

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
BUZ30A

BUZ30A

Opis: MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
5LN01SP-AC

5LN01SP-AC

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA SPA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
5LN01SP

5LN01SP

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.1A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.